封裝用IGBT測(cè)試儀-封裝用IGBT測(cè)試儀批發(fā)-華科智源

測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說(shuō)明？
2011年，封裝用igbt測(cè)試儀加工，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車(chē)輛段大修車(chē)間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來(lái)測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開(kāi)始的功能與元件判別過(guò)程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，封裝用igbt測(cè)試儀廠家，也有全新的igbt，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)*為滿(mǎn)意，解決了特大功率器件因無(wú)法測(cè)試給機(jī)車(chē)在使用帶來(lái)的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問(wèn)題。6）短路保護(hù)放電回路緊急情況下快速放電，保證緊急情況時(shí)快速使設(shè)備處于安全電位。用戶(hù)能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。
測(cè)試的igbt參數(shù)包括：ices（漏流）、bvces（耐壓）、igesf（正向門(mén)*漏流）、igesr（反向門(mén)*漏流）、vgeth（門(mén)檻電壓／閾值）、vgeon（通態(tài)門(mén)*電壓）、vcesat（飽和壓降）、icon（通態(tài)集*漏流）、vf（二*管壓降）、gfs（跨導(dǎo)）、rce（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù)，封裝用igbt測(cè)試儀， 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度， 大電流指標(biāo)保證2%以?xún)?nèi)重復(fù)測(cè)試精度。6雙電流脈沖的設(shè)置：vcc,ic,電感值，間隙時(shí)間（10到50us）(脈寬自動(dòng)計(jì)算)。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在*工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。出廠調(diào)試結(jié)束、出廠前預(yù)驗(yàn)收完成后，賣(mài)方將為每個(gè)柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅(jiān)固，能適應(yīng)中國(guó)境內(nèi)公路、鐵路運(yùn)輸，并兼顧設(shè)備在現(xiàn)場(chǎng)保存時(shí)間的要求。每個(gè)電流模塊，都具有*的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2kv。
為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？
當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過(guò)高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。從檢測(cè)部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動(dòng)列表顯示相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)。
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