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兩種封裝類(lèi)型的二*管
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折疊合金擴(kuò)散型二*管它是合金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過(guò)巧妙地?fù)脚潆s質(zhì)，就能與合金一起過(guò)擴(kuò)散，大功率快恢復(fù)二*管品牌，以便在已經(jīng)形成的pn結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植肌４朔ㄟm用于制造高靈敏度的變?nèi)荻?管。折疊外延型二*管用外延面長(zhǎng)的過(guò)程制造pn結(jié)而形成的二*管。制造時(shí)需要非常高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布，故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻?管。
快恢復(fù)二*管是如何被擊穿的
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快恢復(fù)二*管外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，大芯片快恢復(fù)二*管品牌，反向電流會(huì)突然*，這種現(xiàn)象稱為電而擊穿。引起電而擊穿的臨界電壓稱為二*管反向擊穿電壓。電作為擊穿時(shí)二*管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻?管沒(méi)有因電而擊穿而引起過(guò)熱，充電器快恢復(fù)二*管品牌，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被永而久之*，在撤除外加電壓后，快恢復(fù)二*管品牌，其性能仍可恢復(fù)，否則二*管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二*管外加的反向電壓過(guò)高。
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快恢復(fù)二*管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二*管不同，它是在p型、n型硅材料中間增加了基區(qū)i，構(gòu)成p-i-n硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓。快恢復(fù)二*管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6v，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二*管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小，使其trr可低至幾十納秒。
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