生產(chǎn)電容-電容-春發(fā)電子(查看)

陶瓷電容的制作原理是什么
用高介電常數(shù)的電容器陶瓷〈鈦酸鋇一氧化鈦〉擠壓成圓管、圓片或圓盤作為介質(zhì)，并用燒滲法將銀鍍在陶瓷上作為電*制成。它又分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器，用于高穩(wěn)定振蕩回路中，film電容，作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用，或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內(nèi)〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因?yàn)樗鼈円子诒幻}沖電壓擊穿。
向陶瓷電容器施加超過其額定電壓的電壓，會導(dǎo)致短路故障還是開路故障
一般來說，向電容器施加過量電壓后都會導(dǎo)致短路故障。片狀獨(dú)石陶瓷電容器的損壞電壓為其額定電壓的5~10倍以上，電容，稍高于額定電壓的外加電壓很難對電容器造成瞬間損壞。
但在使用中如向電容器施加的電壓超過其額定電壓，則不在保修范圍之內(nèi)。
電容器的電壓加速和溫度加速
通過電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命。可將產(chǎn)品使用時的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進(jìn)行公式化。 一般來說，生產(chǎn)電容，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運(yùn)用以下公式便可簡單地進(jìn)行推算。 47_01cn.png 在此公式的基礎(chǔ)上，通過在更為嚴(yán)苛的條件(更高溫、更高電壓)下進(jìn)行加速試驗(yàn)，可推算出產(chǎn)品在實(shí)際使用環(huán)境下的使用壽命。 在此，我們一起來比較一下獨(dú)石陶瓷電容器的加速試驗(yàn)與實(shí)際產(chǎn)品使用的假定環(huán)境。我們將電容器的加速試驗(yàn)中將耐久試驗(yàn)時間視為la，將實(shí)際使用環(huán)境下的相當(dāng)年數(shù)視為ln，薄膜電容價格，用于上述公式。 耐久試驗(yàn)條件 假定使用環(huán)境 電壓加速系數(shù) 溫度加速系數(shù) 相應(yīng)年限 ta＝85°c va＝20v la＝1000h tn＝65°c vn＝5v n＝4 θ＝8 ln＝？h 這樣，我們即可通過在85°c、施加20v電壓的環(huán)境下進(jìn)行了1000h的耐久試驗(yàn)，推算出在5°c、施加5v電壓的環(huán)境下產(chǎn)品使用年限為1448155h(≒165年！)。計(jì)算中使用的電壓加速系數(shù)、溫度加速系數(shù)會由陶瓷材料的種類及構(gòu)造產(chǎn)生不同，但通過加速計(jì)算公式可在相對較短的時間內(nèi)利用試驗(yàn)結(jié)果來驗(yàn)證長時間的實(shí)際使用環(huán)境中的產(chǎn)品使用壽命。
電容器在電源中的應(yīng)用之浪涌電壓保護(hù)
開關(guān)頻率很高的現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件易受潛在的損害性電壓尖峰脈沖的影響。跨接在功率半導(dǎo)體器件兩端的浪涌電壓保護(hù)電容器通過吸收電壓脈沖限制了峰值電壓，從而對半導(dǎo)體器件起到了保護(hù)作用，使得浪涌電壓保護(hù)電容器成為功率元件庫中的重要一員。
半導(dǎo)體器件的額定電壓和電流值及其開關(guān)頻率左右著浪涌電壓保護(hù)電容器的選擇。由于這些電容器承受著很陡的dv/dt值，因此，對于這種應(yīng)用而言，薄膜電容器是恰當(dāng)之選。
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